irf330 транзистора таблице PDF

IRF330
производитель : Samsung semiconductor
описание : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF330
производитель : International Rectifier
описание : HEXFET? TRANSISTOR

IRF330
производитель : Intersil Corporation
описание :

IRF330
производитель : Fairchild Semiconductor
описание :

IRF330
производитель : IRF[International Rectifier]
описание : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

IRF330
производитель : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
описание : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF330
производитель : Fairchild Semiconductor
описание : N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V

IRF330
производитель : Intersil Corporation
описание : 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF330
производитель : International Rectifier
описание : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

IRF330
производитель : Fairchild Semiconductor
описание : N-Channel Power MOSFETs, 5.5A, 350 V/400V

IRF330
производитель : International Rectifier
описание : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=400V, Rds(on)=1.00ohm, Id=5.5A)

IRF330
производитель : Intersil Corporation
описание : 5.5A, 400V, 1.000 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF330
производитель : Intersil
описание : 4.5A and 5.5A, 350V and 400V, 1.0 and 1.5 Ohm, N-Channel Power MOSFETs

IRF330
производитель : IR
описание : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS =400V, RDS(on) = 1.0 Ohm, ID = 5.5A