irf150 транзистора таблице PDF

IRF150
производитель : Samsung semiconductor
описание : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF150
производитель : Seme
описание :

IRF150
производитель : International Rectifier
описание :

IRF150
производитель : IXYS Corporation
описание :

IRF150
производитель :
описание :

IRF150
производитель : Intersil Corporation
описание :

IRF150
производитель : Fairchild Semiconductor
описание :

IRF150
производитель : SAMSUNG[Samsung semiconductor]
описание : N-CHANNEL POWER MOSFETS

IRF150
производитель : Seme LAB
описание : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF150
производитель : Fairchild Semiconductor
описание : N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V

IRF150
производитель : Intersil Corporation
описание : 40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF150
производитель : International Rectifier
описание : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)

IRF150
производитель : IXYS Corporation
описание : HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF150
производитель : ETC
описание : 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED

IRF150
производитель : IXYS Corporation
описание : HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF150
производитель : ETC
описание : 50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED

IRF150
производитель : IXYS Corporation
описание : HIGH VOLTAGE POWER MOSFET DIE

IRF150
производитель : Fairchild Semiconductor
описание : N-Channel Power MOSFETs, 40 A, 60 V/100 V

IRF150
производитель : International Rectifier
описание : TRANSISTORS N-CHANNEL(Vdss=100V, Rds(on)=0.055ohm, Id= 38A)

IRF150
производитель : Intersil Corporation
описание : 40A, 100V, 0.055 Ohm, N-Channel Power MOSFET

IRF150
производитель : Seme LAB
описание : N-CHANNEL POWER MOSFET

IRF150
производитель : IR
описание : Repetitive avalanche and dv/dt rated HEXFET transistor thru-hole(TO-204AA/AE). BVDSS = 100V, RDS(on) = 0.055 Ohm, ID = 38A

IRF150
производитель : Intersil
описание : 33A and 40A, 60V and 100V, 0.055 and 0.08 Ohm, N-Channel Power MOSFETs